多晶硅(多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。)在太陽(yáng)能利用上，單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，就必須提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。從國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。不論是改良西門(mén)子法還是硅烷法生產(chǎn)工藝中都需要過(guò)濾設(shè)備，用于收集硅粉、氯硅烷循環(huán)洗滌、循環(huán)水再利用等工序。結(jié)合眾多項(xiàng)目生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，上海奕卿過(guò)濾科技有限公司提出了自己的過(guò)濾工藝解決方案。
（1）石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%并生成工業(yè)硅，
其化學(xué)反應(yīng)SiO2+C→Si+CO2↑
（2）為了滿足高純度的需要，必須進(jìn)一步提純。把工業(yè)硅粉碎并用無(wú)水氯化氫(HCl)與之反應(yīng)在一個(gè)流化床反應(yīng)器中，生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl3)。
其化學(xué)反應(yīng)Si+HCl→SiHCl3+H2↑
反應(yīng)溫度為300度，該反應(yīng)是放熱的。同時(shí)形成氣態(tài)混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。
（3）第二步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進(jìn)一步提純，需要分解:過(guò)濾硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而氣態(tài)Н2,НС1返回到反應(yīng)中或排放到大氣中。然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，凈化三氯氫硅（多級(jí)精餾）。
（4）凈化后的三氯氫硅采用高溫還原工藝，以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。
其化學(xué)反應(yīng)SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反應(yīng)容器為密封的，用電加熱硅池硅棒（直徑5-10毫米，長(zhǎng)度1.5-2米，數(shù)量80根），在1050-1100度在棒上生長(zhǎng)多晶硅，直徑可達(dá)到150-200毫米。
這樣大約三分之一的三氯氫硅發(fā)生反應(yīng)，并生成多晶硅。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14從反應(yīng)容器中分離。這些混合物進(jìn)行低溫分離，或再利用，或返回到整個(gè)反應(yīng)中。氣態(tài)混合物的分離是復(fù)雜的、耗能量大的，從某種程度上決定了多晶硅的成本和該3工藝的競(jìng)爭(zhēng)力。
技術(shù)支持：
如何選擇過(guò)濾設(shè)備—工況調(diào)查表
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